Durchbruch bei 0.10-Micron-Technologie

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung Electronics hat nach Informationen aus Taiwan seine 0.10-Micron-DRAM-Technologie entscheidend verbessert. Wie der IT-Dienst DigiTimes berichtet, konnten Probleme mit den eingesetzten Aluminium-Oxid-Verbindungen (Al2O3) behoben werden. Dadurch könne Samsung in seiner DRAM-Fab in Taiwan den Output um eine Mio. 256 Mbit-Äquivalente pro Monat anheben.

Nähere Angaben zur Art des technologischen Durchbruchs wurden vorerst nicht gemacht. Nach Angaben eines Managers konnte aber die so genannte Yield Rate, der Anteil brauchbarer Chips an der Gesamtproduktion, auf rund 80 Prozent gesteigert werden. Bei Samsungs DRAM-Produktion war es nach einem Wechsel von Oxide-Nitrid-Oxide auf Al2O3 zu Problemen gekommen.