Samsung präsentiert ersten 60-Nanometer 8-Gigabit NAND-Flash-Speicher

Samsung hat den branchenweit ersten 60-Nanometer 8-Gigabit NAND-Flash-Speicherbaustein für Datenspeicher-Medien vorgestellt. Zum Einsatz könnte er in Mobil-Festplatten mit kleiner Kapazität für tragbare Endgeräte kommen.

„Die Entwicklung im Bereich der NAND-Flash-Technologie verdoppelt die Kapazität weiterhin durchschnittlich alle 12 Monate“, kommentierte der Samsung Vorstand Chang Gyu Hwang den Durchbruch. Die Branche habe miterlebt, wie die Kapazitäten von 256 Megabit im Jahr 1999 auf 512 MBit im Jahr 2000, auf 1 GBit im Jahr 2001, auf 2GBit im Jahr 2002, auf 4 GBit im Jahr 2003 und jetzt auf 8 GBit im Jahr 2004 angewachsen seien.

Die neue Prozesstechnologie von Samsung mit Strukturgrößen von 60 Nanometer entspreche zwei Tausendstel der Dicke eines menschlichen Haars und erreiche Zellgrößenreduzierung von etwa 30 Prozent gegenüber dem 4 GBit NAND-Flash-Speicher mit 70 Nanometern, der letztes Jahr entwickelt wurde. Das Ergebnis ist die weltweit kleinste Bitspeicherzelle mit 0,0082 Quadratmikrometer.

Der neue NAND-Flash-Speicher soll es ermöglichen, bis zu 16 Gigabytes auf einer einzigen Speicherkarte zu speichern, was bis zu 16 Stunden Video in DVD-Qualität entspricht oder 4000 MP3-Audiodateien.