Infineon präsentiert kleinste Flash-Speicherzelle

Infineon hat die derzeit kleinste nichtflüchtige Flash-Speicherzelle als Labormuster vorgestellt. Mit nur 20 Nanometern ist sie rund 5000 mal dünner als ein Haar.

Die Herstellung von derart kleinen funktionsfähigen Speicherzellen galt bislang als sehr fraglich. Das Besondere an dem neuartigen Bauelement ist seine dreidimensionale Struktur mit einer Finne. „Sollten alle fertigungstechnischen Herausforderungen – wie etwa die der Lithographie – für die Massenproduktion gemeistert werden können, wären hiermit in wenigen Jahren nichtflüchtige Speicherchips mit einer Kapazität von 32 GBit denkbar“, so Infineon.

Das ist das Achtfache von dem, was heute auf gleicher Fläche hergestellt und verkauft wird. Nichtflüchtige Speicher werden für die immer beliebteren Anwendungen wie Digitalkameras, Camcorder oder USB-Sticks als flexible und robuste Massenspeicher benötigt. Heutige nichtflüchtige Speichertechnologien basieren auf Silizium und können ein oder zwei Bit (Informationseinheit) pro Speicherzelle ohne Versorgungsspannung dauerhaft speichern.

Infineon hat für die kleinste Speicherzelle auf das FinFET-Konzept zurückgegriffen, bei dem der FET (Feldeffekt)-Transistor die dreidimensionale Form einer Finne hat. Diese Form verbessere die elektrostatische Kontrolle wesentlich gegenüber den heute üblichen flachen Transistoren, so das Unternehmen. Die Elektronen werden in einem Nitrid gespeichert, das elektrisch isoliert zwischen der Finne und der Gate-Elektrode liegt. Die nur 8 Nanometer dünne Silizium-Finne werde von der 20 Nanometer langen Gate Elektrode gesteuert.

Erst vor wenigen Tagen hatte IBM den kleinsten Speicherbaustein der Welt zum Einsatz in leistungsfähigen Computern vorgestellt. Die Speicherbausteine seien so klein, dass 50.000 Stück von ihnen auf die Spitze eines menschlichen Haares passen würden, teilte das Unternehmen in Yorktown Heights mit.