Samsung produziert erste Muster von 90-Nanometer XDR DRAMs

Samsung hat die ersten Muster eines 90-Nanometer XDR DRAMs (Extreme Data Rate) mit 512 MBit produziert. Das Modell kann kann Daten mit bis zu 9,6 GByte/s übertragen und ist damit 12 Mal schneller als DDR400-Speicher sowie 6 Mal schneller als führende RDRAM (PC 800) Speicherbausteine.

Mit einer Strukturbreite von 90 Nanometern erreicht das neue XDR-DRAM eine maximale Geschwindigkeit von 4,8 GBit/s bei einer Versorgungsspannung von 1,8 Volt. Der neue Speicherbaustein soll vor allem in hochleistungsfähigen Breitband-Anwendungen zum Einsatz kommen. Dazu zählen die neuesten Spielekonsolen, digitale Fernsehgeräte sowie Server und Workstations. Verbaut werden soll er unter anderem in der Playstation3 von Sony.

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM basiert auf der XDR-Speicher-Interface-Technologie von Rambus. Der neue Speicherbaustein wird in x2-, x4-, x8- und x16-Versionen angeboten.