IBM will heute die Verfügbarkeit der vierten Generation von Halbleitern auf Silizium-Germanium-Basis bekannt geben. Die Chips sollen mit bis zu 200 GHz doppelt so schnell wie ihre Vorgänger laufen, die nur 100 GHz erreicht haben.
Silizium-Germanium kann den Stromverbrauch von Halbleitern reduzieren und sorgt für höhere Geschwindigkeiten. Derartige Chips werden in Mobiltelefonen und anderen drahtlosen Geräten eingebaut. IBM erwartet dadurch bezahlbare Handys mit WLAN und GPS. Auch das im Automobilbau verwendete Nahbereichsradar sei ein möglicher Einsatzbereich.
IBM war das erste Unternehmen, das Silizium-Germanium-basierte Halbleiter angeboten hat. Seit 1995 wurden mehrere hundert Millionen Chips ausgeliefert.
Neueste Kommentare
2 Kommentare zu IBM: Neue Silizium-Germanium-Chips erreichen 200 GHz
Kommentar hinzufügenVielen Dank für Ihren Kommentar.
Ihr Kommentar wurde gespeichert und wartet auf Moderation.
Ghz?
Sollte es nicht MHz heissen??!
AW: Ghz?
Nein, es sind GHz. Allerdings ist damit nur die Schaltgeschwindigkeit der einzelnen Transistoren gemeint. Der komplette Chip wird diese Geschwindigkeit nie erreichen.