Intel forscht an „Floating-Body-Cell“-Transistoren

Intel arbeitet an einem Transistor-Design, das die Integration von mehr Speicherzellen in einen einzelnen Prozessor erlaubt. Die Entwickler wollen noch diese Woche so genannte „Floating-Body-Cell“-Transistoren vorstellen.

Die Floating Body Cells ermöglichten es Intel, Prozessoren mit einer größeren Anzahl On-Chip-Speicher auszurüsten, um die Leistung zu steigern, sagte Forschungsleiter Mike Mayberry.

Dank des neuen Designs ließe sich die Dichte des chipeigenen Cachespeichers erhöhen. Der wird dazu verwendet, häufig benötigte Daten direkt im Prozessor zu speichern, wo sie viel schneller verarbeitet werden können, als wenn sie im Hauptspeicher oder auf der Festplatte zwischengelagert wären.

Herkömmliche SRAM-Zellen (Static Random Access Memory) bestehen aus sechs Transistoren und können ein Bit an Informationen speichern. Intel strebt innerhalb der nächsten drei bis sieben Jahre Zellen mit einem Transistor pro Bit Speichermenge an.