Sanyo baut Photovoltaik-Entwicklungszentrum in Japan

Sanyo will im Frühjahr 2008 in seiner Fabrik in Gifu, Japan, ein Entwicklungszentrum für Photovoltaik einrichten. Für den Neubau ist ein Budget von 6 Milliarden Yen (rund 36 Millionen Euro) vorgesehen, das bis 2010 ausgeschüttet wird. Sanyo rechnet zunächst mit 30 neuen Arbeitsplätzen.

Ein Schwerpunkt des neuen Entwicklungszentrums werde die Weiterentwicklung der nächsten Generation von Silizium-Dünnschicht-Solarzellen sein, teilte Sanyo in einer Aussendung mit. Damit sollen die Kosten der Solarenergieerzeugung gesenkt und vergleichbar zu Elektrizitätskosten im Heimgebrauch werden.

Sanyo engagiert sich bereits auf dem Solarmarkt. Die neu zu entwickelnden Solarzellen sieht Vice President Shinya Tsuda als dritte Generation an, nach amorphen und HIT-Solarzellen. HIT steht für „Heterojunction with Intrinsic Thin-layer“. Diese derzeit aktuellen Zellen bestehen aus kristallinen Silizium-Wafern und dünnen, amorphen Silizium-Schichten. Nach eigener Aussage erzeugt Sanyo damit derzeit am meisten Energie pro Fläche von allen Solarzellen-Herstellern.