Wie der taiwanische Branchendienst Digitimes berichtet, ziehen die Preise für NAND-Flash-Speicher wieder an. Die Spot-Preise für 16 GBit NAND-Flash kletterten am Montag auf 3,5 Dollar, die Preise längerfristiger Lieferverträge stiegen ebenfalls zwischen vier und elf Prozent und liegen nun bei 3 Dollar.
Der Preisanstieg sei vor allem darauf zurückzuführen, dass die Hersteller dieser Geräte wieder mehr bestellten. Insbesondere Apple habe umfangreiche Bestellungen aufgegeben. Die für größere Datenmengen ausgelegten NAND-Flashes werden vor allem in USB-Sticks, Flash-Speicherkarten (Compact-Flash– und SD-Karten) sowie in MP3-Playern verbaut.
Im Verlauf des Jahres 2008 fielen die durchschnittlichen OEM-Preise für NAND-Flash laut der Marktbeobachter von DRAM-Exchange um 68 Prozent. Die Talfahrt endete erst im Dezember, als Hynix und Toshiba die Produktion in einigen ihrer Werke drosselten. Bei Toshiba könnte das nicht ganz freiwillig gewesen sein: Unter Berufung auf Insider berichtet Digitimes von Gerüchten, dass Toshiba mit der Migration auf eine neue Memory-Architektur und 43-Nanometer-Fertigung Probleme bekommen und deshalb den Ausstoß reduziert habe.
Laut aktuellen Zahlen von DRAM-Exchange sank der Umsatz der sechs bedeutendsten Lieferanten für NAND-Flash 2008 um insgesamt 14,6 Prozent auf 11,42 Milliarden Dollar. Angesichts des Rückgangs des durchschnittlichen Verkaufspreises um 68 Prozent war eine gewaltige Erhöhung der Stückzahlen notwendig, um diesen Wert zu erreichen. Samsung dominiert das Segment mit über 40 Prozent Marktanteil, es folgen Toshiba (25 Prozent), Hynix (15 Prozent) und Micron (8 Prozent). Intel rangiert mit rund 6 Prozent auf dem fünften Platz.
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2 Kommentare zu Bericht: Preise für NAND-Flash-Speicher steigen wieder
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Preise für NAND-Flash
Es sind 16 GigaBIT Chips zu 3,50 USD.
Danke für den Hinweis, ist korrigiert. Die Redaktion
TOSHIBAs Produktion
TOSHIBA hat die Produktion nicht wegen Problemen mit der Migration auf eine neue Memory-Architektur und 43-Nanometer-Fertigung gedrosselt.
Die Abstufung TOSHIBAs war ein sehr kluger und weitsichtiger Schritt.
SAMSUNG produziert immer noch "auf Halde" und es fehlt an Investionsgeldern.
Die Neuentwicklung des FeRAM-Chip von TOSHIBA und die ankündigung der TOSHIBA Cooperation das wichtige Durchbrüche in der Mehrfachbit-pro-Zelle-Technologie für NAND Flash-Speicher gelungen sind, die die Chipdichte weiter erhöhen und somit Kosteneinsparungen für Geräte der nächsten Generation einbringen. In der 32Nanometer (nm) Generation hat TOSHIBA einen Chip mit 3 Bit-pro-Zelle 32 Gigabit(Gb) mit der kleinsten Form der Welt entwickelt, sogar kleiner als der 16 GbChip mit 2-Bit-pro Zelle, der in 43 nm Technologie hergestellt wird und derzeitauf dem Markt ist. Dieser innovative Chip kommt ab der zweiten Hälfte desGeschäftsjahres 2009 in die Massenproduktion. Das Unternehmen hat auch den
ersten 64 Gb Chip der Welt hergestellt, der in der 43 nm Prozess-Generation die4-Bit-pro-Zelle Technologie anwendet.