Samsung liefert weltweit erste DDR3-Module mit 16 GByte aus

Samsung hat mit der Auslieferung der nach eigenen Angaben weltweit ersten DDR3-Speicherbausteinen mit einer Kapazität von 16 GByte begonnen. Für die Herstellung der Module verwendet das koreanische Unternehmen 2-GBit-Chips mit 50 Nanometern Strukturbreite.

Die neuen Speichermodule bietet Samsung in 18 Varianten für Server an. Dazu gehören Registered-Inline-Memory-Module (RIMM) mit 16 GByte und Registered-Dual-Inline-Memory-Module (RDIMM) mit 8 GByte. Der maximale Datendurchsatz soll bei 1066 MBit/s liegen.

Die Bausteine benötigen statt der üblichen 1,5 Volt lediglich 1,35 Volt. Der Energieverbrauch sinke dadurch um rund 20 Prozent, so Samsung. Gegenüber Speichermodulen mit 1-GBit-Chips soll er sogar 40 Prozent betragen.

Ende Januar hatte Samsung bereits die weltweit ersten DDR3-Speicherchips mit einer Kapazität von 4 GBit vorgestellt. Unter Verwendung von Dual-Die-Gehäusen sind damit bis zu 32 GByte große Speichermodule möglich.