Samsung kündigt schnelles SSD mit bis zu 512 GByte an

Samsung hat ein Solid State Drive (SSD) mit einer Speicherkapazität von bis zu 512 GByte vorgestellt. Das neue Modell ist als erstes SSD mit Samsungs 32-GBit-NAND-Flash-Chips ausgestattet, die seit November im 30-Nanometer-Verfahren gefertigt werden.

In Verbindung mit einem 3-GBit/s-SATA-Interface erreicht das Laufwerk laut Hersteller sequentielle Datentransferraten von bis 250 MByte/s beim Lesen und maximal 220 MByte/s beim Schreiben. Dank der Toggle-Mode-DDR-Struktur der NAND-Chips soll es trotz der höheren Geschwindigkeit nicht mehr Strom verbrauchen als 256-MByte-SSDs mit 16-GBit-Chips in 40 Nanometern Strukturbreite. Zudem kann der Controller einen Energiesparmodus aktivieren, der in Notebooks für eine längere Akkulaufzeit sorgt.

Die Samsung-Neuvorstellung beherrscht darüber hinaus 256-Bit-AES-Verschlüsselung und das TRIM-Kommando von Windows 7, das eine kontinuierlich hohe Leistungsbereitschaft eines Solid State Drive garantiert.

Ohne TRIM-Support kann bei SSDs nach längeren Nutzung die Performance teilweise beträchtlich sinken. Der Grund für dieses Phänomen liegt in den physikalischen Eigenschaften von Flash-Zellen, die für die SSD-Modelle verwendet werden. Flash-Speicher lässt sich nur dann ohne Wartezyklen beschreiben, wenn die betreffenden Zellen leer sind. Da das Betriebssystem Dateien jedoch nur aus dem Inhaltsverzeichnis des Dateisystems löscht und der Controller der SSD von diesem Löschvorgang nichts mitbekommt, muss er beim erneuten Zugriff auf die Zelle diese erst löschen, bevor er sie beschreiben kann. Mit dem TRIM-Feature teilt das Betriebssystem dem SSD-Controller mit, welche Datenblöcke nicht mehr genutzt werden, sodass er in Ruhephasen die nicht benötigten Zellen löschen kann, um sie später ohne Leistungsverlust erneut zu beschreiben.

Die Massenproduktion der neuen SSD soll im Juli anlaufen. Samsung plant Modelle mit Kapazitäten zwischen 64 und 512 GByte. Preise hat das Unternehmen noch nicht genannt.