Micron stellt 3D-NAND-Flash-Speicher für Smartphones vor

Micron hat erstmals einen 3D-NAND-Flash-Speicher für Smartphones vorgestellt. Er basiert auf dem Standard Universal Flash Storage (UFS) 2.1, der höhere Lesegeschwindigkeiten ermöglichen soll als die derzeit verwendeten eingebetteten Multimedia Cards (eMMC). Mit einer Kapazität von 32 GByte sind die Chips auf Smartphones im mittleren bis oberen Preissegment ausgerichtet, das laut Micron rund 50 Prozent des gesamten Markts ausmacht.

Nach Angaben des Unternehmens ist die Die-Fläche des 32-GByte-Chips nur 60,217 Quadratmillimeter groß und damit kleiner als vergleichbare Produkte anderer Hersteller. Das Stapeln der NAND-Flash-Chips übereinander soll die Die-Fläche gegenüber herkömmlichen Flash-Bausteinen von Micron bei gleicher Kapazität um bis zu 30 Prozent reduzieren.

Der UFS-Standard wiederum soll die Bandbreite im Vergleich zu Speicher, der das eMMC-5.1-Interface nutzt, um bis zu 33 Prozent steigern. Die sequentielle Lesegeschwindigkeit gibt Micron mit bis zu 600 MByte pro Sekunde an. Mobile Geräte sollen vor allem von kürzeren Ladezeiten für Apps und Dateien sowie einem schnelleren Bootvorgang profitieren. Micron verspricht aber auch eine bessere Kameraperformance bei Serienbild- und Panoramaaufnahmen.

Ein neuer Energiesparmodus soll zudem dafür sorgen, dass nur aktive NAND-Zellen mit Strom versorgt werden, während der restliche Die im Standby-Modus verbleibt. Weitere Vorteile sollen sich durch den Einsatz sogenannter Multichip-Packages ergeben, die neben dem Massenspeicher auch den Arbeitsspeicher enthalten. Durch die Verwendung von LPDRR4X-RAM soll der DRAM-Stromverbrauch um 45 Prozent zurückgehen, da die I/O-Spannung nur 0,6 statt 1,1 Volt beträgt.

„Die 3D-NAND-Technologie ist entscheidend für die weitere Entwicklung von Smartphones und anderen mobilen Geräten“, wird Greg Wong, Principal Analyst bei Forward Insights, in einer Pressemitteilung zitiert. „Durch die Einführung von 5G und den zunehmenden Einfluss mobiler Geräte auf unser digitales Leben benötigen Smartphonehersteller die fortschrittlichsten Technologien, um die stetig zunehmenden Datenmengen zu verwalten und zu speichern.“

Derzeit liefert Micron erste Muster der 3D-NAND-Flash-Chips an seine Kunden und Partner aus. Gegen Jahresende sollen sie dann allgemein verfügbar sein. In ersten Produkten wird die Technik dann wahrscheinlich erst im kommenden Jahr Einzug halten.

Samsung fertigt bereits seit Februar Universal Flash Storage für Mobilgeräte mit einer Kapazität von 256 GByte. Das koreanische Unternehmen setzt dabei auf seine proprietäre V-NAND-Flash-Technik, die ähnlich wie Microns 3D-NAND die Bausteine vertikal anordnet. Der UFS-Standard 2.0 kommt zudem bei den aktuellen Flaggschiff-Modellen Galaxy S7 und S7 Edge zum Einsatz.