Samsung stellt neue Fertigungsverfahren für 10- und 14-nm-Chips vor

Samsung hat auf seinem Samsung Foundry Forum Kunden und Partnern neue Fertigungstechnologien für die Herstellung von Prozessoren in 10 und 14 Nanometer Strukturbreite vorgestellt. Der koreanische Hersteller erläuterte in seiner Niederlassung Device Solutions America Einzelheiten zu den Fertigungsprozessen 10LPU und 14LPU.

10LPU ist das dritte 10-nm-Herstellungsverfahren, das im Vergleich zu den vorhergehenden Generationen 10LPE und 10LPP eine verringerte Chipfläche erreicht und zugleich die Performance der Prozessoren steigert. Laut Samsung ist es im Vergleich zu anderen fortgeschrittenen Fertigungsprozessen besonders kostengünstig.

14LPU als vierte Generation von Samsungs 14-nm-Herstellungsverfahren soll eine höhere Leistung bei gleichem Energiebedarf liefern. Diese Chips sind für hohe Leistung und rechenintensive Anwendungen optimiert. Process Design Kits (PDK) der beiden neuen Fertigungsprozesse sollen im zweiten Quartal 2017 verfügbar werden.

„Nachdem wir Mitte Oktober die branchenweit erste 10-nm-Massenfertigung angekündigt haben, erweitern wir nun außerdem unsere Palette mit den neuen Foundry-Angeboten 14LPU und 10LPU“, erklärte Ben Suh, der bei Samsung als Senior Vice President für den Foundry-Vertrieb verantwortlich ist. „Samsung ist sehr zuversichtlich hinsichtlich unserer technologischen Festlegungen, die Design-Vorteile in einem aggressiven Vorgehen mit Gesichtspunkten der Herstellbarkeit vereinen. Wir haben eine äußerst positive Resonanz aus dem Markt erfahren und erwarten, unsere Führung im Bereich der fortgeschrittenen Fertigungsprozesse weiter ausbauen zu können.“

Der Samsung-Manager bezog sich auf die bereits angelaufene Serienproduktion eines nicht näher bezeichneten Mobilprozessors mit Strukturbreiten von 10 Nanometern. Nach Angaben des Unternehmens handelt sich sich um das branchenweit erste System-on-a-Chip (SoC), bei dem seine weiterentwickelte FinFET-Technik zum Einsatz kommt.

Im Vergleich zum aktuellen 14-Nanometer-Fertigungsprozess, der unter anderem für den Exynos 8 Octa (Exynos 8890) des Galaxy S7 und S7 Edge verwendet wird, soll diese neue Chip-Generation 27 Prozent mehr Rechenleistung bieten. Die Verkleinerung der Strukturen auf 10 Nanometer soll zudem den Energieverbrauch um 40 Prozent senken. Außerdem lassen sich dadurch bis zu 30 Prozent mehr Chips pro Wafer fertigen.

[mit Material von Cho Mu-Hyun, ZDNet.com]