Qualcomm stellt Snapdragon 835 vor

Qualcomm hat mit dem Snapdragon 835 seinen neuen Premium-Smartphoneprozessor vorgestellt. Der im 10-Nanometer-Verfahren gefertigte Chip basiert auf Samsungs FinFET-Fertigungsverfahren. 10 Nanometer entsprechen Qualcomm zufolge der Größe eines einzelnen Wassermoleküls. Ein einzelnes Haar sei etwa 1000-mal größer als die kleinsten Strukturen des neuen Chips.

Gegenüber den im 14-Nanometer-Verfahren hergestellten Vorgängern Snapdragon 820 und Snapdragon 821 soll die Chipgröße um 30 Prozent sinken. Die geringe Größe erlaube die Entwicklung dünnerer Smartphones oder von Geräten mit größeren Akkus.

Keith Kressin, Produktmanager bei Qualcomm, und Ben Shuh, Senior Vice President bei Samsung, haben gemeinsam den Mobilprozessor Snapdragon 835 vorgestellt (Bild: Qualcomm).

Kleinere Strukturen bedeuten in der Regel aber auch geringe Stromverluste und damit eine bessere Energieeffizienz. Qualcomm verspricht 40 Prozent weniger Stromverbrauch und 27 Prozent mehr Performance. Dazu soll auch ein neues Chip-Design beitragen.

Die Fertigung des Snapdragon 835 hat bereits begonnen. Erste Geräte mit dem neuen Chip sollen im ersten Halbjahr 2017 in den Handel kommen. Mit ihrer Präsentation ist auf dem Ende Februar stattfindenden Mobile World Congress (MWC) in Barcelona zu rechnen.

Aufgrund der Zusammenarbeit mit Samsung kann man annehmen, dass der Snapdragon 835 auch seinen Weg in Samsungs kommendes Flaggschiff-Smartphone Galaxy S8 findet. Das im vergangenen Jahr anlässlich des MWC präsentierte Galaxy S7 war eines der ersten Smartphones mit Qualcomms Snapdragon 820.

Das koreanische Unternehmen entwickelt und fertigt aber auch eigene Prozessoren. Das aktuelle Spitzenmodell Exynos 8890, das die in Europa verkauften Galaxy S7 und S7 Edge antreibt, markierte in diesem Jahr den Umstieg von 28-Nanometer- zu 14-Nanometer-Strukturen. „Die Zusammenarbeit mit Qualcomm ist ein wichtiger Meilenstein für unser Fertigungsgeschäft, da es das Vertrauen in Samsungs führende Chipfertigungstechnologie unterstreicht“, kommentierte Jong Shik Yoon, Chef von Samsungs Foundry-Sparte.

Zusammen mit dem Snapdragon 835 wird Qualcomm auch die vierte Version seiner Schnelladetechnik Quick Charge einführen. Sie soll nach einer Ladezeit von nur fünf Minuten eine Betriebsdauer von bis zu 5 Stunden bieten. Generell soll Quick Charge 4 den Ladevorgang um 20 Prozent verkürzen.

Das wird nach Unternehmensangaben durch einen Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV) genannten Algorithmus ermöglicht. Er regelt, wieviel Strom das Gerät über das Ladekabel anfordert. Quick Charge 4 integriert aber auch mehrstufige Schutzfunktionen gegen Überladen und Überhitzen.

[mit Material von Roger Cheng, News.com]