Intel hat neue Solid State Drives für Rechenzentren vorgestellt. Sie sollen dank eines neuen, „Ruler“ genannten Formfaktors, Platz für bis zu 1 Petabyte (1000 TByte) Massenspeicher in einem 1HE-Server-Rack schaffen. Darüber hinaus bietet das Unternehmen neue Dual-Port-SSDs an, die Intels Optane-Technik oder alternativ Intel 3D-NAND-Flash nutzen.
Der neue Ruler-Formfaktor soll traditionelle 2,5-Zoll- und 3,5-Zoll-Festplatten sowie Add-in-Karten in Rechenzentren ersetzen. „Der neue Formfaktor bietet die größte Speicherkapazität für einen Server, zusammen mit den geringsten Anforderungen an Kühlung und Energieversorgung“, sagte Bill Leszinske, Vice President der Non-Volatile Memory Solutions Group bei Intel. „Daten treiben alles an, was wir machen – von finanziellen Entscheidungen bis Virtual Reality Gaming, und vom autonomen Fahren bis zum maschinellen Lernen – und Storage-Innovationen von Intel wie diese garantieren einen unglaublich schnellen und zuverlässigen Zugriff auf diese Daten.“
1 Petabyte ist laut Intel ausreichend, um 300.000 HD-Filme mit einer Laufzeit von insgesamt rund 70 Jahren zu speichern. Ruler-SSDs sollen „in naher Zukunft“ mit Intel Optane und 3D-NAND-Flash verfügbar sein.
Dual-Port-SSDs für hohe Redundanz und Ausfallsicherheit
Schon im dritten Quartal erweitert Intel sein Angebot um Dual-Port-SSDs. Sie sollen eine hohe Redundanz und Ausfallsicherheit bieten, um Störungen von lebenswichtigen und hochverfügbaren Applikationen zu verhindern. Das Unternehmen positioniert die neuen Modellreihen SSD DC D4500, D4502 und D4600 als Alternativen zu SAS-SSDs und –HDDs. Sie sollen mehr IOPS, eine höhere Bandbreite und geringere Latenzen als SAS-SSDs bieten.
Ab sofort stehen indes neue SSDs mit SATA-Interface zur Verfügung, und zwar in Kapazitäten von 240 GByte bis 1,9 TByte (DC S4600) beziehungsweise bis 3,8 TByte (DC S4500). Sie liegen im klassischen 2,5-Zoll-Gehäuse mit einer Höhe von 7 Millimetern vor und basieren auf Intels 3D-NAND-TLC-Flash. Die sequentielle Leseleistung spezifiziert Intel mit 500 MByte pro Sekunde. 490 MByte/s werden beim sequentiellen Schreiben von Daten erreicht.
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