Samsung kündigt 8 Gb LPDDR5 RAM an

Samsung hat den nach eigenen Angaben branchenweit den ersten 10 Nanometer 8 GBit LPDDR5-Arbeitsspeicher entwickelt. Die Chips sollen unter anderem in Geräten, die den künftigen Mobilfunkstandard 5G unterstützen, sowie in mobilen Anwendungen, die auf künstlicher Intelligenz aufbauen, zum Einsatz kommen.

LPDDR5-RAM unterstützt nach Herstellerangaben Datenraten von bis zu 6400 MBit/s. Das soll einer Steigerung um Faktor 1,5 gegenüber den derzeit schnellsten LPDDR4-Speicherbausteinen für mobile Geräte entsprechen. Sie erreichen bis zu 4266 MBit/s. Die erhöhte Transferrate soll es erlauben, bis zu 51,2 GByte Daten pro Sekunde zu senden, was 14 Full-HD-Videos mit einer Größe von je 3,7 GByte entsprechen würde.

Gefertigt wird der neue Low-Power-Arbeitsspeicher in einem 10-Nanometer-Verfahren. Samsung will die Chips mit zwei unterschiedlichen Bandbreiten anbieten: 6400 MBit/s erreichen sie bei einer Arbeitsspannung von 1,1 Volt und 5500 MBit/s bei 1,05 Volt. Der Energieverbrauch soll vor allem durch architektonische Veränderungen gesenkt werden. Statt 8 verfügen die neuen Chips über 16 Speicherbänke innerhalb einer DRAM-Zelle.

Außerdem soll ein neuer Energiesparmodus namens „Deep Sleep Mode“ den Stromverbrauch gegenüber dem Leerlaufmodus von LPDDR4-Modulen halbieren. Insgesamt sollen so Einsparungen von bis zu 30 Prozent erzielt werden, die zu einer Verlängerung der Akkulaufzeit beitragen sollen.

Laut Samsung wurden die Funktionstests mit Partnern weltweit bereits abgeschlossen. Dabei kamen 8 GByte große Module zum Einsatz, die aus acht 8-GBit-Chips bestehen. Die Massenproduktion werde nun gemäß der Nachfrage von Kunden in Samsungs neuester Produktionslinie in Pyeongtaek, Korea, starten.