Samsung startet Massenfertigung von 512GB eUFS 3.1 für Smartphones

Samsung hat mit der Massenproduktion des branchenweit ersten 512-Gigabyte-eUFS-3.1-Speichers (embedded Universal Flash Storage) für den Einsatz in Flaggschiff-Smartphones begonnen. Mit der dreifachen Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zum bisherigen 512 GB eUFS 3.0-Mobilspeicher durchbricht der neue eUFS 3.1-Speicher von Samsung die Leistungsgrenze von 1 GB/s.

Die Leistungssteigerung veranschlaulicht der Hersteller mit einigen Beispielen: „Mit einer sequentiellen Schreibgeschwindigkeit von über 1.200 MB/s ist Samsung 512 GB eUFS 3.1 mehr als doppelt so schnell wie ein SATA-basierter PC (540 MB/s) und mehr als zehnmal so schnell wie eine UHS-I microSD-Karte (90 MB/s). Dies bedeutet, dass Verbraucher die Geschwindigkeit eines ultraflachen Notebooks genießen können, wenn sie große Dateien wie 8K-Videos oder mehrere hundert großformatige Fotos in ihren Smartphones speichern, ohne dass eine Pufferung erforderlich ist. Auch die Übertragung von Inhalten von einem alten Telefon auf ein neues Gerät wird erheblich weniger Zeit in Anspruch nehmen. Telefone mit dem neuen eUFS 3.1 benötigen nur etwa 1,5 Minuten, um 100 GByte Daten zu übertragen, während UFS 3.0-basierte Telefone mehr als vier Minuten benötigen.“

Was die zufällige Schreib-/Leseleistung betrifft, so verarbeitet der 512 GByte große eUFS 3.1-Speicher bis zu 60 Prozent schneller als die weit verbreitete UFS 3.0-Version und bietet 100.000 Ein-/Ausgabe-Operationen pro Sekunde (IOPS) beim Lesen und 70.000 IOPS beim Schreiben. Zusammen mit der 512-GByte-Option will Samsung im Laufe dieses Jahres auch 256 GByte- und 128 GByte-Varianten für die Flaggschiff-Smartphones zur Verfügung stellen.

Samsung hat diesen Monat mit der Serienproduktion der fünften Generation von V-NAND in seiner neuen Fertigungsanlage X2 in Xi’an, China begonnen (Bild: Samsung).

Samsung hat diesen Monat mit der Serienproduktion der fünften Generation von V-NAND in seiner neuen Fertigungsanlage X2 in Xi’an, China begonnen, um den Speicherbedarf im gesamten Flagschiff- und High-End-Smartphone-Markt vollständig zu decken. Das Unternehmen plant, die V-NAND-Volumenproduktion in seiner Pyeongtaek-Linie (P1) in Korea bald von der fünften auf die sechste V-NAND-Generation zu wechseln, um der wachsenden Nachfrage besser gerecht zu werden.