AMD entwickelt High-Speed Transistor-Technologie

Forscher des Halbleiterherstellers AMD (Börse Frankfurt: AMD) haben eigenen Angaben nach eine neue High-Speed Transistor-Technologie entwickelt. Die Prototyp-Technik, die im Juni in die Fertigung gehen soll, ist laut den Angaben rund 30 Prozent schneller als der derzeit schnellste PMOS (P-Channel Metalloxid Halbleiter)-Transistor.

In dem Prototypen setzen die Forscher eine selbst entwickelte Silicon-on-Insulator-Technik ein. Außerdem wollen die Wissenschaftler einen Transistor entwickelt haben, der auf Strained Silizium basiere. Der Begriff „gestrecktes Silizium“ leitet sich von einem Effekt ab, den die Technologie auf die Atome hat: Eine Layer aus gitterartig angeordnetem Silizium und Germanium, die der Silizium-Schicht des Chips hinzugefügt wird, erhöht die Entfernung zwischen den Atomen der ursprünglichen Layer. Dadurch sollen die Atomkräfte verringert werden, die zur Streuung von Elektronen führen.

Die Forscher nutzen nach eigenen Angaben sogenannte „Metall-Gatter“, wodurch der Transistor eine rund 20 bis 25 Prozent höhere Leistung erreiche, als herkömmliche Chips mit Strained Silizium-Technik.

AMD schätzt, dass die Erfindungen eine entscheidende Rolle in der zweiten Hälfte der Dekade spielen wird. Details zu den Entwicklungen will AMD auf dem VLSI Symposium vom 11. bis zum 12 Juni in Kyoto (Japan) vorstellen.

Kontakt: AMD, Tel.: 089/450530 (günstigsten Tarif anzeigen)