Das US National Institute of Standards and Technology (NIST) hat biegsame Speicherkomponenten vorgestellt. Das als Memristor bezeichnete Bauelement haben die Forscher erstellt, indem sie Titanoxid auf durchsichtige Polymer-Folien auftrugen.
Indem sie dem noch elektrische Kontakte hinzufügten, schufen die Wissenschaftler des NIST einen biegsamen Speicherschalter, der bei weniger als 10 Volt arbeitet, seinen Speicherwert auch ohne Stromzufuhr behält und auch nach über 4000 Biegevorgängen noch funktioniert. Titanoxid ist auch ein Bestandteil von Sonnencremes und Zahnpasta.
„Da die aktive Komponente unseres Bausteins aus Flüssigkeit hergestellt wird, besteht die Möglichkeit, dass wir irgendwann einen solchen Speicher so einfach wie eine Overhead-Folie drucken können“, sagt die Sprecherin des Forscherteams, Nadine Gergel-Hackett. Das Trocknen der Titanoxid-Schicht, die als „Sol Gel“ in flüssiger Form aufgetragen wird, dauert laut dem Forschungsbericht „A Flexible Solution-Processed Memristor“ 14 Tage.
Memristors wurden 1971 erstmals beschrieben, aber erst 2008 durch ein Team von Hewlett-Packard realisiert. Die HP-Forscher verwendeten dazu Titandioxid. Ein Memristor erhält seinen Zustand, wenn keine Energie hindurchfließt.
Ein biegsames Memristor würde die Entwicklung von biegsamen Chips ermöglichen, die etwa in der Medizintechnik vielfältige Einsatzmöglichkeiten böten, schreiben die Forscher des NIST.
![NIST-Forscher haben ein biegsames Memristor entwickelt (Bild: NIST).](/i/news/200902/0601/nist_memristor-v6.jpg)
NIST-Forscher haben ein biegsames Memristor entwickelt (Bild: NIST).
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