IBM und Micron starten Produktion neuartiger Speicherchips

IBM und Micron Technology haben mit der Fertigung von Speicherchips begonnen, die dank neuer Architektur die Transfergeschwindigkeit verfünfzehnfachen sollen. Ihrer Darstellung nach rufen „Hybrid Memory Cube“-Halbleiter erst das ganze Potenzial von Dynamic Random Access Memory (DRAM) ab.

Speicherwürfel aus gestapeltem DRAM mit IBM-Logik (Bild: Micron)

Micron, größter Speicherchip-Fertiger in den USA, liefert für das Gemeinschaftsprojekt das DRAM. Von IBM kommt die Steuerungselektronik. Die Kombination soll die so genannte „Memory Wall“ aus der Welt schaffen – also dass der Hauptspeicher die immer schnelleren CPUs zunehmend ausbremst.

Für Hybrid Memory Cubes nutzt IBM eine 3D-Transistortechnik namens „Through-Silicon Via“ (TSV). Die Chips werden also aufeinander gestapelt und durch vertikale Schaltkreise verbunden. In einer Pressemitteilung heißt es, „IBMs hochentwickelter Chipherstellungsprozess ermöglicht es Microns Hybrid Memory Cube, bis zu 15-mal schneller zu arbeiten als heutige Technik.“ Konkret sind das zunächst bis zu 128 GByte/s, während heute das schnellste RAM 12,8 GByte/s liefert, wie Micron sagt. Ein solcher Speicherwürfel verbraucht auch 70 Prozent weniger Energie, um Daten zu übertragen. Gleichzeitig hat er nur ein Zehntel der Größe konventionellen Speichers.

IBM wird seine Komponenten für Hybrid Memory Cube in seiner New Yorker Fab East Fishkill fertigen. Es setzt High-k-Material und ein 32-Nanometer-Verfahren ein. Die Chips sollen in der zweiten Jahreshälfte 2012 kommerziell verfügbar sein.