Toshiba und Sandisk produzieren gemeinsam NAND-Flash

Toshiba und Sandisk haben ein Joint Venture für die Produktion von NAND-Flash-Speicherchips auf Silizium-Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser gegründet. Gemeinsam wollen sie 2009 in Japan eine neue Fertigungsstätte errichten, die 2010 ihren Dienst aufnehmen soll. Der genaue Standort steht allerdings noch nicht fest.

50 Prozent der gesamten Fertigungskapazität erhält das neu gegründete Joint Venture. Über die anderen 50 Prozent verfügt Toshiba. Allerdings gehen im Rahmen eines Zuliefervertrags davon wiederum 50 Prozent an Sandisk.

Beide Unternehmen arbeiten bereits seit längerem bei der Entwicklung von NAND-Flash-Speicherchips zusammen. Anfang Februar hatte Sandisk die Serienproduktion von Flash-Memory mit 3 Bit pro Zelle für März oder April angekündigt.

Außerdem hat Toshiba auch Gerüchte bestätigt, dass es mit Sony ein Joint Venture für die Herstellung von Cell-Prozessoren für die Playstation 3 gründen wird. Das bisher noch namenlose Gemeinschaftsunternehmen mit Sitz in Nagasaki soll ab dem 1. April den Betrieb der bisherigen Fab 2 der Sony Semiconductor Kyushu Corporation (SCK) übernehmen.

An dem Joint Venture ist Toshiba zu 60 Prozent, Sony zu 20 Prozent und Sonys Spielesparte Sony Computer Entertainment zu 20 Prozent beteiligt. Bis Ende März will Toshiba für 90 Milliarden Yen (rund 569 Millionen Euro) die 300-Millimeter-Wafer-Fertigungslinie von Sony und SCK übernehmen.

Das Joint Venture wird unter anderem Sonys 65-Nanometer-Cell-Chips, den PS3-Grafikbeschleuniger RSX sowie Toshibas System-on-Chip-Komponenten (SoC) produzieren. Darüber hinaus ist bereits die Entwicklung einer 45-Nanometer-Fertigungsanlage geplant.